- Модель продукта RS1L120GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1506
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Ta), 36A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 12.7mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta)
- Барьерный тип 2.7V @ 200µA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 26 nC @ 10 V
- 1330 pF @ 30 V