Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 12-SIP Exposed Tab
  • Количество витков Through Hole
  • Скорость 5 N-Channel, Common Source
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 5W
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A
  • Глубина 320pF @ 10V
  • Сопротивление при 25°C 220mOhm @ 3A, 4V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 12-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 60V 14.8A 12VDFN

Инвентаризация: 12507

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP

Инвентаризация: 432

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 5289

MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

Инвентаризация: 216

MOSFET 6N-CH 250V 2A 12SIP

Инвентаризация: 81

TRANS 3PNP DARL 50V 4A 8SIP

Инвентаризация: 3673

Top