- Модель продукта SIA436DJ-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SC-70-6
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
- Материал феррулы 3.5W (Ta), 19W (Tc)
- Барьерный тип 800mV @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SC-70-6
- Длина ремня 1.2V, 4.5V
- Шаг Количество ±5V
- 8 V
- 25.2 nC @ 5 V
- 1508 pF @ 4 V
Сопутствующие товары
TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3
Инвентаризация: 3778
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Инвентаризация: 316861
MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Инвентаризация: 27623
P-CHANNEL 1.5-V (G-S) MOSFET
Инвентаризация: 870
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3348
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Инвентаризация: 17301
MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Инвентаризация: 13686
