Инвентаризация:130276

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 330mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Материал феррулы 400mW (Ta)
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-3
  • Длина ремня 1.2V, 4.5V
  • Шаг Количество ±8V
  • 20 V
  • 0.4 nC @ 4.5 V
  • 28.7 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN

Инвентаризация: 33430

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN

Инвентаризация: 116237

MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN

Инвентаризация: 164254

MOSFET 2P-CH 20V 0.328A 6DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523

Инвентаризация: 37646

MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616

Инвентаризация: 3386

NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C

Инвентаризация: 54000

Top