- Модель продукта FDT86113LZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 3.3A, 10V
- Материал феррулы 2.2W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223-4
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 6.8 nC @ 10 V
- 315 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Инвентаризация: 12813
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
Инвентаризация: 19549
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Инвентаризация: 3982
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Инвентаризация: 13911
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Инвентаризация: 14822
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Инвентаризация: 0
