- Модель продукта FDT86102LZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5482
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.6A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 6.6A, 10V
- Материал феррулы 2.2W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223-4
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 25 nC @ 10 V
- 1490 pF @ 50 V