- Модель продукта FDT86106LZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:15411
Технические детали
- Тип монтажа TO-261-4, TO-261AA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 108mOhm @ 3.2A, 10V
- Материал феррулы 2.2W (Ta)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение SOT-223-4
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 7 nC @ 10 V
- 315 pF @ 50 V