Инвентаризация:2085

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 225mOhm @ 3.5A, 10V
  • Материал феррулы 34W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 13µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-5
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 5.6 nC @ 10 V
  • 430 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Инвентаризация: 11535

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Инвентаризация: 20998

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Инвентаризация: 10878

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

Top