Инвентаризация:13035

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.3A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 5.7A, 10V
  • Материал феррулы 50W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 25µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-5
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 8.7 nC @ 10 V
  • 680 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN

Инвентаризация: 15473

MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8

Инвентаризация: 15563

Top