Инвентаризация:12378

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 15.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 7.6A, 10V
  • Материал феррулы 62.5W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 30µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSDSON-8
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 200 V
  • 11.6 nC @ 10 V
  • 920 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Инвентаризация: 20998

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Инвентаризация: 13339

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

Инвентаризация: 40979

MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33

Инвентаризация: 49780

Top