- Модель продукта SI7129DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:13136
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -50°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
- Материал феррулы 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 71 nC @ 10 V
- 3345 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Инвентаризация: 15950
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Инвентаризация: 66614
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8
Инвентаризация: 25006
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Инвентаризация: 8932
