- Модель продукта SIS412DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:68114
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 7.8A, 10V
- Материал феррулы 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 12 nC @ 10 V
- 435 pF @ 15 V