- Модель продукта SISA10DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:10432
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 3.6W (Ta), 39W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество +20V, -16V
- 30 V
- 51 nC @ 10 V
- 2425 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
DIODE, ZENER, 0.30W, 3.6V, 5%, D
Инвентаризация: 2081
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Инвентаризация: 11636
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Инвентаризация: 16376
IC MUX/DEMUX 12 X 2:1 42WQFN
Инвентаризация: 12449
