Инвентаризация:23097

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Ta), 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.99mOhm @ 36A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 209 nC @ 10 V
  • 14965 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 47A POWER56

Инвентаризация: 10976

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

Инвентаризация: 5703

MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN

Инвентаризация: 19067

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 57700

IC TRANSLTR UNIDIRECTIONAL 8MLF

Инвентаризация: 442

Top