Инвентаризация:7203

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Ta), 423A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.65mOhm @ 55A, 10V
  • Материал феррулы 3.3W (Ta), 180W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 750µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 285 nC @ 10 V
  • 22610 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

Инвентаризация: 2101

MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN

Инвентаризация: 21597

MOSFET N-CH 30V 47A POWER56

Инвентаризация: 10976

MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN

Инвентаризация: 3000

Top