- Модель продукта FDMS8050ET30
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7203
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Ta), 423A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.65mOhm @ 55A, 10V
- Материал феррулы 3.3W (Ta), 180W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 750µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 285 nC @ 10 V
- 22610 pF @ 15 V