Инвентаризация:10620

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 150mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 22 nC @ 10 V
  • 732 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.6V 3W SMB

Инвентаризация: 18934

MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO

Инвентаризация: 46929

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

Инвентаризация: 70952

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

Инвентаризация: 3650

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

Инвентаризация: 1400

Top