Инвентаризация:2900

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.3A (Ta), 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 80 V
  • 6.9 nC @ 10 V
  • 370 pF @ 40 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4

Инвентаризация: 2250

MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Инвентаризация: 661

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN

Инвентаризация: 1335

DIODE ZENER 5.1V 3W SMB

Инвентаризация: 4393

Top