Инвентаризация:2835

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.4A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 260mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 18W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 6 nC @ 10 V
  • 250 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Инвентаризация: 661

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK

Инвентаризация: 5209

MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN

Инвентаризация: 1182

MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN

Инвентаризация: 1400

Top