Инвентаризация:19606

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 21.5mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.42W (Ta)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SO
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 10.2 nC @ 10 V
  • 493.5 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6

Инвентаризация: 25077

MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO

Инвентаризация: 36019

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

Инвентаризация: 24243

MOSFET 2N-CH 40V 15A/60A 12WQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top