- Модель продукта IRFH5020TRPBF
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.1A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 7.5A, 10V
- Материал феррулы 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 150µA
- Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 54 nC @ 10 V
- 2290 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Инвентаризация: 11611
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Инвентаризация: 6335
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Инвентаризация: 15563
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
Инвентаризация: 8242
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Инвентаризация: 28924
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
