Инвентаризация:11400

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerLDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 50W (Tj)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Глубина 1740pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 34.5nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PDFN5060-8D
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Инвентаризация: 8180

MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8

Инвентаризация: 6260

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

Инвентаризация: 4210

Top