- Модель продукта IMW65R020M2HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1740
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 83A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 46.9A, 20V
- Материал феррулы 273W (Tc)
- Барьерный тип 5.6V @ 9.5mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-40
- Длина ремня 15V, 20V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 650 V
- 57 nC @ 18 V
- 2038 pF @ 400 V