Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 171A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
  • Материал феррулы 625W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 29.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-U06
  • Длина ремня 15V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -7V
  • 650 V
  • 179 nC @ 18 V
  • 6359 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 240

Top