Инвентаризация:1598

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 50A, 18V
  • Материал феррулы 431W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 11.7mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L(X)
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 158 nC @ 18 V
  • 6000 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

Top