- Модель продукта TW015Z120C,S1F
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 1
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1598
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт 175°C
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 21mOhm @ 50A, 18V
- Материал феррулы 431W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 11.7mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4L(X)
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 158 nC @ 18 V
- 6000 pF @ 800 V