- Модель продукта IPB025N10N3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 300W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 275µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 206 nC @ 10 V
- 14800 pF @ 50 V