- Модель продукта IPB072N15N3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6185
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 7.2mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 300W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 270µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-3-2
- Длина ремня 8V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 93 nC @ 10 V
- 5470 pF @ 75 V