Инвентаризация:6855

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 114A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.4mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 214W (Tc)
  • Барьерный тип 4.6V @ 136µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-3
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 150 V
  • 52 nC @ 10 V
  • 4000 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 87A TDSON

Инвентаризация: 5529

MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8

Инвентаризация: 11611

MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.7A, -20

Инвентаризация: 5950

Top