- Модель продукта SI7172DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 5.9A, 10V
- Материал феррулы 5.4W (Ta), 96W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 200 V
- 77 nC @ 10 V
- 2250 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Инвентаризация: 15563
MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Инвентаризация: 4183
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Инвентаризация: 21340
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5304
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Инвентаризация: 5783
