Инвентаризация:9186

Технические детали

  • Тип монтажа 9-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta), 637A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 0.45mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 333W (Tc)
  • Барьерный тип 2.3V @ 1.449mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TTFN-9-U02
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 129 nC @ 10 V
  • 12000 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 0

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

Инвентаризация: 4921

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 4598

MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET

Инвентаризация: 14801

MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW

Инвентаризация: 1419

Top