- Модель продукта IQDH45N04LM6CGATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:9186
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta), 637A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.45mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 333W (Tc)
- Барьерный тип 2.3V @ 1.449mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TTFN-9-U02
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 129 nC @ 10 V
- 12000 pF @ 20 V