- Модель продукта IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6098
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Ta), 310A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.58mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 2.1W (Ta), 89W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PG-WHTFN-9-1
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±16V
- 25 V
- 82 nC @ 10 V
- 5453 pF @ 12 V