- Модель продукта IQE013N04LM6CGSCATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4015
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerWDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 31A (Ta), 205A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 1.35mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 107W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 51µA
- Максимальное переменное напряжение PG-WHTFN-9-1
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 41 nC @ 10 V
- 3800 pF @ 20 V