- Модель продукта IQDH35N03LM5CGATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:6421
Технические детали
- Тип монтажа 9-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 66A (Ta), 700A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 0.35mOhm @ 50A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 278W (Tc)
- Барьерный тип 2V @ 1.46mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TTFN-9-U02
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 197 nC @ 10 V
- 18000 pF @ 15 V