- Модель продукта G65P06K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 60V 65A TO-252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Инвентаризация: 428
P-CH,-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,
Инвентаризация: 1760
MOSFET P-CH 60V 60A TO-252
Инвентаризация: 40000
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Инвентаризация: 4958
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Инвентаризация: 1593
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP
Инвентаризация: 35014
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3762
