Инвентаризация:1928

Технические детали

  • Тип монтажа ATPAK (2 Leads+Tab)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 6.5mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 90W (Tc)
  • Максимальное переменное напряжение ATPAK
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 250 nC @ 10 V
  • 13000 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


SENSOR HUMI/TEMP 3.3V I2C 2% SMD

Инвентаризация: 7855

MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3

Инвентаризация: 20516

P-CHANNEL MOSFET,DPAK

Инвентаризация: 1593

Top