Инвентаризация:5500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.6W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 60V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
  • Глубина 3021pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 10A, 10V
  • Тип симистора 67nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOP

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP

Инвентаризация: 3862

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP

Инвентаризация: 8000

MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK

Инвентаризация: 2830

Top