- Модель продукта G800N06S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:9500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Смываемый 1.7W (Tc)
- Внутренняя отделка контактов 60V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3A (Tc)
- Глубина 458pF @ 30V
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 3A, 10V
- Тип симистора 6nC @ 10V
- Барьерный тип 1.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOP