Инвентаризация:4330

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 67W (Tc)
  • Внутренняя отделка контактов 65V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tc)
  • Глубина 1890pF @ 30V
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 20A, 10V
  • Тип симистора 26nC @ 10V
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PPAK (5.1x5.71)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D

Инвентаризация: 8709

MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP

Инвентаризация: 3701

MOSFET 2N-CH 60V 9A 8SOP

Инвентаризация: 4000

IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 7122

IC GATE AND 4CH 2-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 35928

MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8

Инвентаризация: 4210

Top