Инвентаризация:4304

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 86mOhm @ 4.5A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta), 20W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 49 nC @ 10 V
  • 1990 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 1600

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33

Инвентаризация: 764

PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF

Инвентаризация: 6576

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP

Инвентаризация: 7190

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

Инвентаризация: 16597

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 49732

MOSFET P-CH 100V 23A PPAK1212-8S

Инвентаризация: 0

Top