Инвентаризация:2264

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3.2A (Ta), 13A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 107mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 2.3W (Ta), 62W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение Power33
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±25V
  • 150 V
  • 32 nC @ 10 V
  • 2045 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON

Инвентаризация: 14317

MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON

Инвентаризация: 16229

MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP

Инвентаризация: 2102

MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Инвентаризация: 7

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

Top