Инвентаризация:8076

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 25A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 7A, 10V
  • Материал феррулы 2W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 48 nC @ 10 V
  • 2850 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

MOSFET N-CH 60V PWRDI3333

Инвентаризация: 1746

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4435

PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3

Инвентаризация: 12778

PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF

Инвентаризация: 8486

PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER

Инвентаризация: 792

PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF

Инвентаризация: 10441

Top