Инвентаризация:3302

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 53A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 23mOhm @ 50A, 12V
  • Материал феррулы 349W (Tc)
  • Барьерный тип 6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TOLL
  • Длина ремня 12V
  • Шаг Количество ±20V
  • 750 V
  • 37.8 nC @ 15 V
  • 1414 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 1826

SENSOR CURRENT HALL 50A 8TISON

Инвентаризация: 5837

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

Инвентаризация: 3779

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 866

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

Инвентаризация: 2125

Top