Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 11A, 20V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 5V, 20V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 24 nC @ 10 V
  • 1400 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

Инвентаризация: 19946

SOP-8 MOSFETS ROHS

Инвентаризация: 2046

P

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC

Инвентаризация: 13123

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Инвентаризация: 29668

Top