Инвентаризация:1940

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 78mOhm @ 13A, 18V
  • Материал феррулы 165W
  • Барьерный тип 5.6V @ 6.67mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 58 nC @ 18 V
  • 852 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

650V, 70A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 430

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

Инвентаризация: 350

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 371

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

Top