Инвентаризация:9375

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.4A (Ta), 86A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.3mOhm @ 40A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 125W (Tc)
  • Барьерный тип 2.2V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8
  • Длина ремня 3.3V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 36 nC @ 10 V
  • 2600 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8

Инвентаризация: 3928

MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Инвентаризация: 1980

TRENCH <= 40V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 13878

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 0

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 14843

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 8246

Top