Инвентаризация:16343

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19.2A (Ta), 163A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.7mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 3W (Ta), 214W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 111µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8 FL
  • Длина ремня 8V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 120 V
  • 58 nC @ 10 V
  • 4300 pF @ 60 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT363

Инвентаризация: 4117

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10022

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 0

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 10334

Top