Технические детали

• Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
• Количество витков Surface Mount
• Скорость N and P-Channel
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 370mW (Ta)
• Внутренняя отделка контактов 20V
• Толщина внешнего контактного покрытия 500mA (Ta), 360mA (Ta)
• Глубина 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V
• Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
• Тип симистора 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
• Барьерный тип 1V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение X2-DFN1010-6 (Type UXC)