Инвентаризация:11364

Технические детали

  • Тип монтажа 6-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel Complementary
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 350mW (Ta)
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 480mA (Ta), 350mA (Ta)
  • Глубина 21.5pF @ 16V, 17pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN0806-6

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363

Инвентаризация: 2296

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN

Инвентаризация: 3460

MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN

Инвентаризация: 7996

MOSFET 2P-CH 20V 0.36A 6DFN

Инвентаризация: 4659

MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN

Инвентаризация: 4085

MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN

Инвентаризация: 3281

Top