Инвентаризация:5820

Технические детали

  • Тип монтажа 6-XFDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 380mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 500mA (Ta)
  • Глубина 14.6pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Тип симистора 0.28nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение X2-DFN1010-6 (Type UXC)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363

Инвентаризация: 22987

MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN

Инвентаризация: 3460

MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563

Инвентаризация: 1543

MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN

Инвентаризация: 4385

MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN

Инвентаризация: 7996

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Инвентаризация: 8162

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Инвентаризация: 125484

Top