Инвентаризация:3550

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 33A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 3.4W (Ta), 68W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerDI5060-8 (Type UX)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 11.9 nC @ 10 V
  • 683 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON

Инвентаризация: 43731

MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON

Инвентаризация: 23927

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

Инвентаризация: 2497

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 4590

Top