Инвентаризация:10536

Технические детали

  • Тип монтажа 6-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость N and P-Channel
  • Крутящий момент - Винт -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 500mW
  • Внутренняя отделка контактов 20V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 750mA, 600mA
  • Глубина 150pF @ 16V
  • Сопротивление при 25°C 550mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение DFN1612-6

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363

Инвентаризация: 178385

MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310

Инвентаризация: 9893

MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3

Инвентаризация: 26171

TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN

Инвентаризация: 43

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

Инвентаризация: 23728

Top